SiC和GaN宽带宽
生产证明测试单元解决方案
高性能
生产证明高容量性能解决方案
Cohu经生产证明测试单元解决方案使高压高流斜坡木化物(SiC)MOSFETs和Schottky二极管和高电流晶体管汽车和工业设备等待Volta-FlexTM高电密度解析法的专利使单电名Gde
- 高压静态参数测试达6500V
- 高流动态切换测试达5 000A
- 等待Volta-FluxMEM检测架构加速测试电源设备
- 环境控制预防弧
- 低误差推理可快速动态向下切换至25nh
- NV-Core检验系统提供完全最后检验和单元级可追踪性从rafer输入到磁带和reel输出
- D-Core数据智能系统提供实时设备监控数据分析提高生产率
解决高压和高流对SIC和GAN汽车和工业设备的需求
PowerSiC二极管
电源SICMOSFET
电源GaNHEM
人造电源知道好死
全数测试单元解法包括处理器、检验器和计量器、联系人和测试器
7kUPH
7000 UPH@150ms测试时
死处理
薄裸处理到50微米带受控联系人插入NV-Core检验系统
单插入
唯一单插图小于1m
设备测试
全范围设备测试:静态和动态测试、门阻抗测试、雪崩测试和短路测试
数据分析
通过实时人工智能检测优化收成和缺陷检测
NY32WKGD
全自动光学测试、视觉检验和死排序法向客户提供汽车行业所需的严格质量,同时提高生产率并降低成本
KGD处理、检验和计量求解
- 7000UPH@150ms测试时间
- 宽可应用设备包1毫米至12毫米,Bare Die
- 生产证明薄死处理到50微米带受控接触器插入NV-Core检验系统
- 克格勃测试表通过单插入最多4次测试
- Pin对接高级检验
- 高功率站测试单插入并配有最终检验和从Wafer输入到磁带和Reel输出完全可追踪性
- 完全设备ID可追踪性流程
- 能力透视硅检查表层下结构顶部、底部、侧面和图内红外检验提高产量
CGator生成电源联系人
上下联系解决电源KGDVolta-FluxMEM探针技术稳定低CRES满足极具挑战性高压和高流需求
常用接触架构快速赋能测试
- 现场可替换MEMS探针提供低得多测试成本
- 唯一单插图小于1m
- 创新压力控制以防止高压测试期间反斜
- 等待Volta-Flex高电密度技术实现高效死热测试消散
- 适合动态高流交换机和短路测试
- 唯一顶底触摸精确受控探针
- 高功率测试参数达6 500V和5 000A
M2SIC+GAN测试器
Cohu的合伙人i
优化低误差引文接口使高速切换短路测试
- 低误差DUT测试接口下至25NH
- 高速动态交换机达1200V和5000A
- 紧凑脚印使测试资源尽可能接近测试场
- 动态切换单次、双脉冲和多脉冲测试
- HV-非状态测试:BVDSS、IDSS、IGSS等
- LV-状态测试:Rds-on,Vds-on,Gfss等
- UIS-解锁加载切换
- 雪崩测试UIL、EAR、EAS
- Rg-门阻抗:RSS、CGS偏差
- 感想负载切换 短路二极管恢复 Eon Eoff TrTFQff
D-Core数据智能系统
Cohu伙伴IPTest全套设备测试:静电动态测试、门阻抗测试、雪崩测试和短路测试
I4.0/Factive自动化实时设备监控和数据分析
- 实时设备监控
- 预防维护
- 中心菜谱管理
- 通过实时人工智能检测优化收成和缺陷检测
- 知识数据库和统一报表
试探卡
Wafer试探高并行测试解决方案
KGD和wifer验证器等同接触元素
- 高压测试进程期间新的创新压力级控制可提高瓦斐边缘检验效率
- 可缩放设计为从x1到x32的现场升级测试并行提供弹性
- 单插针替换允许现场修理,提供低得多测试费用
- 高压测试达2500V
- 最大流至千A
联系人销售
完成联系表
